近接向け…というよりも単なる自分メモみたいなものでもありますがw
ようやく終盤まで安定してきたので気をつけていることを置いときます。
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■全体での心構え
正面に真心クリスタル（北）を意識すると散開位置を把握しやすい。
タケノコ照準を捨てる時にカメラを回転させた時なんかも移動しながら回転を戻すと安心。
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■レフト・ライト
「L←→R」を形として頭で覚えると直感で動きやすい。
レフトライトは詠唱が結構長めなので、少し反応が遅れても割となんとかなる。
位置どりはターゲットライン後ろ半分の左右と考えておけば安心。
ターゲットラインに沿って移動ではなく左右を横切ると最短で移動可能。
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■照準（周辺連続爆破）
小玉が見えた段階で真上から見るようカメラ視点を調整、
そうすると、いわゆる解説図のような形でエフェクトに邪魔されずに範囲と爆破方向が確認できる。
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■照準（中央爆破）
照準の詠唱中に散開位置に近づくよう位置を調整しておくと
大玉時に外周まで余裕を持って移動できる。
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■EDD対応
対処中にもレフトライトが来るので、ボス--EDD-自分、くらいな意識で位置どり。
STさんが安全な位置まで誘導してくれる場合もありますが、意識しとくと安心。
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■サイコロ
数が5以降の時はその数から4を引くと対応場所の把握が簡単（例：5は-4だと1なので奇数1の位置）
奇数は背後からの扇状範囲を外に捨てる・偶数突進は正面受け。とだけ覚えておけば大体対応可能。
ぺころぐ式とおこめ式は受ける位置が違うだけで左右への分かれ方は一緒。
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■ラピス対応（初動）
マクロによって時計回り・反時計回りがあるので要注意。
ただし南西から始まるのは共通の模様。
フィールドマーカーが左からB・C・Aの場合、B位置付近のが必然的に南西なので
1度目のアクティブタイムマニューバーが終わったらB位置を意識してカメラを向けると安心。
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■ラピス処理中
緑玉の範囲が分かり難いので着弾しそうになったら一旦引くと巻き込まれなくて安心。
近接の場合、着弾範囲によっては最後の削りは遠隔に任せて次のラピスを処理開始するとスムーズ。
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■ヒート中のフォトン
DPS対象のフォトンはEDD発生と同タイミングなので欲張って動かないで絶対停止。
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■タケノコ照準
1度目タケノコ：最初のEDD処理後、スピンクラッシャーの後は外周北へ集合。
2度目タケノコ：ヒート中、スピンクラッシャーの後は外周北へ集合。
3度目タケノコ：柱フェーズ、レーザーエックススウォードの後は外周北へ集合。
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要所要所で気にしながらやっていた事ばかりだけど、
書き出したら結構行数あってびっくりしましたw
